場效應(yīng)管的作用表現(xiàn)在變大信號，因為場效應(yīng)管放大器可以輸入很高的阻抗，所以耦合電可以較小，就不必再使用電接點(diǎn)器，所以抗阻變化就非常適合場效應(yīng)管，它還應(yīng)用于可變電阻，當(dāng)他用作恒流源時非常方便，電子開關(guān)也是場效應(yīng)管經(jīng)常出沒的場所。它列為電壓控制型半導(dǎo)體器件，有著電阻輸入高、消耗的功耗低、動態(tài)范圍大、聲音小、容易集成、無第二次的穿透現(xiàn)象、工作的安全范圍大等等優(yōu)點(diǎn)，是結(jié)型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)有力競爭者。

　　場效應(yīng)管的分類：

　　1、按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。

　　2、場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是MOS場效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管，以及最近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。

　　3、場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。